بررسی مورفولوژی و خواص نانو ساختاری اکسید هافنیوم(hfo2)
پایان نامه
- دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده علوم
- نویسنده زهرا رحمانی
- استاد راهنما علی بهاری علی پهلوان
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1390
چکیده
برخی نتایج از قبیل تونل زنی، جریان نشتی و نفوذ اتم از میان گیت دی الکتریک فیلم فرا نازک sio2 را بعنوان یک دی الکتریک خوب برای صنعت آینده و وسایل الکترونیکی در تکنولوژی سرامیک تهدید می کند . یک سری از آزمایشات سنتز اکسید هافنیوم در دمای پایین به روش سل-ژل انجام شد. ویژگی های نانو ساختاری اکسید هافنیوم با اندازه بلورک 5 تا 40 نانومتر بررسی شد.نتایج بدست آمده نشان داد که پتانسیل اکسید هافنیوم نه تنها برای کاستن غلظت سطح مشترک، بلکه به عنوان یک دی الکتریک خوب برای آینده نانو الکترونیک است. این ساختارها با استفاده از تکنیک xrd وafm وهمچنین روش x- powder مورد مطالعه قرار گرفته است .
منابع مشابه
رشد و بررسی خواص نانو ساختاری اکسید تیتانیوم و نیتراید آلومینیوم
We have grown TiO2 and AlN under ultra high vacuum and high pressure conditions and studied their structures with using AES and SEM techniques. The obtained results show that an amorphous film of TiO2 and AlN could be formed on silicon substrate. Furthermore, TiO2 and AlN are high – K dielectric materials and they can thus be replaced to ultra thin gate oxide film.
متن کاملبررسی تاثیر شیوه خشک سازی بر خواص اپتیکی فیلم های نازک نانو ساختاری اکسید نیکل
The nanostructured nickel oxide thin films were prepared by dip coating sol – gel method. Three methods (drying with oven, IR and microwave) have used for drying the films. The effect of drying method on the optical, molecular, electrical, structural, and morphology properties of the films were studied by Uv-Visible spectrophotometry, Fourier Transform Infrared spectroscopy, Hall effect, X-ray ...
متن کاملمقایسه ویژگی نانو ساختاری اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم
Recently, high – K materials such as Al2O3 and TiO2 films have been studied to replace ultra thin gate silicon dioxide film. In the present work, these films were grown on the top of Si(100) surface at different temperatures and under ultra high vacuum conditions. The obtained results showed that Al2O3 has a structure better than that of TiO2 and thus can be used as a good gate dielectric ...
متن کاملرشد و بررسی خواص نانو ساختاری اکسید تیتانیوم و نیتراید آلومینیوم
اکسید تیتانیوم و نیترید آلومینیوم را در شرایط به ترتیب فشار بالا و فشار بسیار پایین بر زیر لایه سیلیکونی رشد داده ایم و با استفاده از تکنیکهایی نظیر تابش سینکروترونی,( aes (auger electron spectroscopy و( sem (scanning electron microscope به مطالعه ساختار آنها پرداختیم. بررسیهای به عمل آمده نشان می دهند که فیلم آمورف اکسید تیتانیوم و یا نیترید آلومینیوم بر زیر لایه سیلیکون شکل گرفته است که این و...
متن کاملبررسی خواص نوری نانو سرامیک های پایه اکسید ایتریوم
در این تحقیق نانو پودر Eu3+ Y2O3: با اندازه تقریبی ذرات nm ۵۰ به روش سنتز احتراقی فرآوری گردید. سپس به منظور حذف مواد آلی باقیمانده و همچنین بهبود شبکه بلوری، این مواد در دماهای ۴۰۰ ، ۸۰۰ و °C۱۰۰۰ مورد عملیات حرارتی باز پخت قرار گرفته و سپس اندازه ذرات و شکل نانو ساختارهای سنتز شده با استفاده از میکروسکوپ های الکترونی روبشی و عبوری مورد بررسی قرار گرفتند. همچنین برای بررسی خواص نوری این مواد...
متن کاملبررسی تاثیر شیوه خشک سازی بر خواص اپتیکی فیلم های نازک نانو ساختاری اکسید نیکل
فیلمهای نازک نانو ساختاری اکسید نیکل با روش غوطه وری سل- ژل تهیه شدند. از سه روش (تابش فروسرخ، آون و مایکروفِر) برای خشک کردن فیلمها استفاده شد. اثر روش خشکسازی روی خواص اپتیکی، مولکولی، الکتریکی، ساختاری و مورفولوژی فیلمها به ترتیب بهوسیله طیف سنج نوری مریی- فرابنفش، طیفسنج تبدیل فوریه فروسرخ، اثر هال، پراش پرتو x، میکروسکوپ نیروی اتمی، و میکروسکوپ الکترونی روبشی مورد بررسی قرار گرفت. ثاب...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده علوم
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023